Les micro-architectures des SoC ARM de nos Mac stagnent, Réactions à la publication du 29/08/2025

[Paul Emploi]

Suite à cet article où j'indique que TSMC est le principal facteur d'augmentation des performances de nos Mac ARM des familles M, je voulais apporter une vision chiffrée sur mon assertion "L'augmentation de performances de chaque génération de SoC Apple, que ça soit A ou M, doit principalement à TSMC ...".


J'ai comparé le M4 du Mac mini M4 et le M1 du Mac mini M1...


L'augmentation des performances multithread est de 73,2% en 4 ans. Impressionnant!

Mais le premier facteur est la fréquence passée de 3,2 Ghz à 4,4 Ghz, soit 37,5% d'augmentation, grâce aux process de plus en plus avancés de TSMC.
Plus de la moitié de l'augmentation de performances est du au saut en fréquence!!!
Cela se remarque avec les TDP, le M1 de 15W et le M4 de 22W approximativement.

Le second facteur est l'augmentation du nombre de cœurs, passés de 4 Performances + 4 Économiques, à 4 + 6. Là aussi avec un impact négatif sur le TDP.
Environ 16,7% de gain en test multithread, les cœurs Économiques ne comptant pas comme des cœurs Performance!


Le troisième facteur sont les optimisations ou avancées micro-architecturales, qui ne représentent qu'autour de 8% en 4 ans à fréquence et nombre de cœur comparables. Du sur-place!
Il me semble qu'Apple est dans une impasse coté micro-architectures de ses SoC.

TSMC est bien le premier facteur d'augmentation des performances de nos Mac et de nos iBidules en général!


Lien vers le billet original

[Pat94]

Salut,

En 1971, Intel nous a sorti le 4004 (4 bits), premier microprocesseur de la gamme. Depuis, il y a eu une évolution de cette technologie à marche forcée, mais maintenant nous arrivons aux limites physiques et quantiques de ce concept et que cela vaut pour tous les types de circuits.
Aussi, rien d'étonnant que les SoC ARM ou autres commencent à avoir une évolution qui stagne, à part quelques artifices pour améliorer les traitements des données, plus de révolution en vue ou à venir pour les circuits silicium.