Intel est dans les temps pour le passage au 14nm, Réactions à la publication du 10/12/2012

[Lionel]

Par la voix de son CTO Justin Rattner, Intel a fait le point sur sa transition vers la gravure en 14nm. Tout semble se dérouler selon le calendrier prévu et Intel prévoit de démarrer la production de masse à cette finesse de gravure d'ici 2 ans. A la fin 2013, certaines chaînes de production seront construites ou modifiées pour graver des processeurs en 14 nm.
Le fondeur est donc dans les temps malgré la conjoncture difficile, qui l'a obligé à faire des économies. Pour rappel, la prochaine génération de puces au nom de Haswell et programmée pour 2013 sera encore gravée en 22nm. C'est Broadwell, la suivante prévue pour 2014, qui inaugurera la gravure en 14 nm et devrait permettre encore de grosses économies d'énergie à puissance constante.
Intel est aussi très optimiste pour les générations suivantes de gravure, 10nm, 7nm et 5nm, qui lui permettront de suivre encore la loi de Moore pendant 10 ans. Après, c'est l'inconnue mais ces 10 ans permettront de trouver le moyen de changer radicalement les procédés de fabrication de processeurs. 
Par Lionel

[r@net54]

Par la voix de son CTO Justin Rattner, Intel a fait le point sur sa transition vers la gravure en 14nm. Tout semble se dérouler selon le calendrier prévu et Intel prévoit de démarrer la production de masse à cette finesse de gravure d'ici 2 ans. A la fin 2013, certaines chaînes de production seront construites ou modifiées pour graver des processeurs en 14 nm.
Le fondeur est donc dans les temps malgré la conjoncture difficile, qui l'a obligé à faire des économies. Pour rappel, la prochaine génération de puces au nom de Haswell et programmée pour 2013 sera encore gravée en 22nm. C'est Broadwell, la suivante prévue pour 2014, qui inaugurera la gravure en 14 nm et devrait permettre encore de grosses économies d'énergie à puissance constante.
Intel est aussi très optimiste pour les générations suivantes de gravure, 10nm, 7nm et 5nm, qui lui permettront de suivre encore la loi de Moore pendant 10 ans. Après, c'est l'inconnue mais ces 10 ans permettront de trouver le moyen de changer radicalement les procédés de fabrication de processeurs. 
Par Lionel

Hum, et les pentiums a 100Ghz, annoncés en 2002 par Intel ils vont arriver en même temps?

La pression de TSMC et GF qui arrivent aux 20 nm en production de masse cette année et 16/14nm en 2015 ça va motiver Intel il semble. Mais est ce qu'Intel peut rester sur du silicium pour annoncer de telles finesses (10 ou 7 nm?) parce que mine de rien la va falloir s'amuser a empiler atome sur atome. 1 nm c'est quasi 5 atomes de silicium. Déjà aux 22nm actuels ca devient un casse-tete de gerer tous les effets indésirables, alors a 10, est ce meme possible.

Et quid de la gestion des effets quantiques et principalement des courants de fuites?
Parce qu'augmenter la finesse de gravure comme moyen de réduire la consommation c'est une étape, mais ce bénéfice s'inverse avec les courants de fuite qui obligent alors a augmenter le courant pour compenser les pertes, donc augmenter la dissipation thermique, et pertes de courant se retrouvent la ou il ne devrait justement pas y avoir de courant (ca ressemble au problème du tuyau d'arrosage percé qui implique d'augmenter le débit d'eau au robinet pour arroser les salades, mais qui entre temps arrose sur toute la longueur...).

Vient ensuite le probleme de gravure. Jusqu'à présent on arrive encore sa avoir des résines photosensibles suffisamment pures mais chaque nm gagné demande une resine toujours plus pure. Et il y a aussi le problème de la pureté chromatique et de la longueur d'onde de la source lumineuse: plus la longueur d'onde est faible, plus la résolution est élevée...

L'autre problème c'est celui des seuils de tension, plus on miniaturise plus ces seuils se rapprochent jusqu'à rendre difficilement distinguable l'état éteint de l'état allumé, ce qui est justement le principe au coeur du transistor...

Reste en plus, des questions de fiabilité et de production a large échelle, le gros problème du cout. Le cout d'une "chaine de production" doublerait tous les 4 ans, et a l'approche de ces finesses, avec toutes les difficultés posées, on peut estimer que cette valeur va être largement dépassées. En 2004 le cout estimé d'une d'une seule unite de production était 3 milliards de dollars et en 2013 le prix d'une seule unité devrait dépasser allègrement les 15 milliards $ (l'unité fab 14/phase 7 de TSMC qui sera construite en début d'année coutera 17 milliards $ soit plus d'1/4 du CA d'Intel)... Quid de la rentabilité?

Alors est ce une vraie information ou est ce de l'intox faite par Intel comme aux débuts des années 2000 et sa courses aux Ghz?
En tout cas Intel a interet a faire des annonces comme ça, vu le rachat récent de ses actions...

Ce message a été modifié par r@net54 - 10 Dec 2012, 02:12.

[Heret]

L'autre problème c'est celui des seuils de tension, plus on miniaturise plus ces seuils se rapprochent jusqu'à rendre difficilement distinguable l'état éteint de l'état allumé, ce qui est justement le principe au coeur du transistor...

... qui s'appelle la tension de la jonction PN, qui est fonction du substrat (silicium, germanium, ...), qui n'est en aucun cas fonction de la miniaturisation. Voir à http://fr.wikipedia.org/wiki/Jonction_P-N, http://fr.wikipedia.org/wiki/Diode, et en particulier là : http://fr.wikipedia.org/wiki/Diode#Princip..._fonctionnement