De la mémoire MLC supportant 30000 cycles d'écriture, Réactions à la news du 20/10/2009

[Lionel]

L'un des reproches (pas réellement justifiés) que l'on fait à la mémoire NAND MLC dont sont dotés les disques SSD, c'est d'avoir un nombre de cycles d'écriture limités, aux alentours de 10000. Au delà les cellules sont usées et sont mises de côté par le contrôleur du disque. Dans les faits, les contrôleurs de ces disques savent gérer cette usure et la répartir équitablement sur toutes les cellules. C'est ce qui permet aux SSD de supporter des années de fonctionnement intensif. Micron vient cependant de prouver qu'on peut faire mieux et a annoncé de la NAND MLC destinée aux entreprises et qui sera capable de supporter jusqu'à 30000 cycles d'écriture. Gravée en 34nm, elle sera produite en masse début 2010.
Intel utilisant déjà dans ses SSD de la mémoire fabriquée avec Micron, ils seront certainement les premiers à proposer des SSD plus résistants à l'usure. De plus, maintenant que la chose est faisable, l'industrie de la mémoire NAND MLC devrait dans un futur proche fixer ses standards à 30000 cycles également.



Pour le jeu, faisons un petit calcul. Prenons un SSD de 160 Go capable d'écrire les données à 200 Mo/s. Il lui faut 800 secondes pour être rempli en totalité. En prenant quelques raccourcis, il lui faudrait donc 800x10000 secondes pour arriver à user toutes ses cellules. Ceci représente une durée de 278 jours à 8 heures par jour, sans prendre en compte le temps d'effacement. Sachant que personne ne fait ce genre de chose, vous comprenez que 10000 cycles peuvent largement assurer plusieurs années d'usage intense d'un SSD. Avec cette nouvelle mémoire, nous serons certain que le disque survivra à l'ordinateur qui l'aura hébergé et même au cycle d'obsolescence de 2 ou 3 machines.

Par Lionel

[zero]

Faut pas oublier que les cellules ne sont pas mises en quarantaine une par une mais bloc par bloc (Mémoire flash oblige). Et le Trim permet seulement de limiter la perte de performance mais, il y en a quand même à la longue. Donc ça va plus vite.

Ce message a été modifié par zero - 21 Oct 2009, 11:12.

[SartMatt]

Faut pas oublier que les cellules ne sont pas mises en quarantaine une par une mais bloque par bloque (Mémoire flash oblige).

Non, pas bloc par bloc, mais page par page. Et ça tombe bien, car toutes les cellules d'une même page ont connu le même nombre d'écritures, vu que les écritures se font par pages entières. Et comme une page fait 2 Ko alors qu'une unité d'allocation de système de fichier en fait en général 4 Ko, le fait de fonctionner par pages n'induit pas un volume d'écriture physique supérieur au volume logique.

Par contre, avec le wear-leveling et les effacements par blocs, il y a effectivement un léger surcoût en écriture. Sur les X25 par exemple, Intel parle d'un volume physique qui est en moyenne supérieur de 10% au volume logique. Mais c'est en tenant compte de ça qu'ils garantissent 5 années de fonctionnement à 100 Go/jour sur le modèle 80 Go.

Et le Trim permet seulement de limiter la perte de performance mais il y en a quand même à la longue.

Cette perte de performance n'a rien à voir avec l'usure des cellules. La perte de performance qu'on observe à l'usage est due à la fragmentation du SSD et au fait qu'il devient du coup impossible de trouver des blocs entièrement vides.
Un simple secure erase du SSD (opération qui prend tout au plus une dizaine de secondes, mais efface tout son contenu) suffit à restaurer les performances d'origine, même sur un SSD n'embarquant aucun algorithme d'optimisation des performances.