Samsung annonce les Z-SSD, Réactions à la publication du 20/03/2017

[Lionel]

Avec la 3D XPoint, Intel et Micron veulent franchir une nouvelle étape sur le marché du stockage. Pour rappel, il s'agit d'une mémoire persistante, comme la FLASH, mais bien plus véloce et infiniment plus durable.

Les premiers produits à cette norme sont déjà en tests à grande échelle et ces deux sociétés pourraient à terme s'accaparer le lucratif marché des centres de données et des serveurs divers et variés à commencer par ceux destinés à la finance, qui se doivent d'être toujours plus véloces.

Samsung, qui n'est pas partie prenante dans cette affaire mais est devenu le plus gros fabricant de SSD au monde, ne veut pas se laisser faire. La société a annoncé, sans beaucoup de détails, les Z-SSD.

Présentés (comme la plupart des autres produits du genre) sous la forme d'une carte PCI-Express, ces nouveaux SSD atteindraient les 3,2 Go/s avec des temps de latence réduits de 70% par rapport à la FLASH NAND.

Samsung n'a pas donné de détails sur cette future Z-NAND. On sait seulement qu'elle sera beaucoup plus endurante que l'actuelle. Le premier produit de cette gamme aura une capacité de 800 Go et elle pourrait rapidement atteindre les 4 To.

Certains présument que ce n'est qu'une évolution de l'actuelle Flash NAND certes optimisée mais qui fonctionnerait surtout de manière intégrale comme de la SLC, chose que fait déjà la société pour accélérer ses SSD, en utilisant une portion de la MLC ou TLC comme de la SLC. Le fait de n'écrire qu'un bit de données par cellule réduit certes grandement la capacité mais permet justement d'augmenter fortement les débits tout en réduisant énormément l'usure de chaque cellule.

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